国产芯片再迎里程碑，长鑫第五代技术平台进入正式量产

9月20日，2026世界制造业大会期间，长鑫科技对外披露，其第五代存储技术平台已实现规模化生产。

据相关介绍，该平台在关键工艺指标上取得显著突破：内存阵列有源区半间距压缩至11.95纳米，存储单元电容的深宽比达到45:1，而核心动力区域的高度被缩减到6762纳米。

在存储密度层面，第五代平台实现了跨越式增长。在相同制程条件下，单片晶圆的成品数量相比前一代平台提高了五成以上。依托这一新工艺打造的24GB LPDDR5X产品目前已全面投产，并已批量搭载于国内各大品牌的主流旗舰智能手机中。

从长鑫存储官方公开的产品信息来看，其LPDDR5X系列产品线覆盖了裸片、封装芯片以及模组等多种交付形式。其中，裸片端提供12Gb与16Gb两种容量选择；封装芯片则涵盖12GB、16GB及24GB多个档位；以LPCAMM为代表的模组化产品可选16GB或32GB容量。

在传输速率维度，该系列产品同步支持8533Mbps、9600Mbps及10667Mbps三个速度等级，并且向下兼容LPDDR5规范，从而为用户提供了更加灵活的后续升级空间。