中国存储产业强势突围，2030年内存产能全球份额有望突破两成

据韩国业界预测，中国在存储器制造领域的全球份额有望在2030年前后攀升至20%上下，而当前该数值仅略超10%。

换言之，未来全球每产出五片DRAM晶圆，其中一片将出自中国大陆。韩国媒体认为，这一趋势对三星电子及SK海力士构成了切实的竞争压力。

有分析指出，近几年中资力量正在加速布局存储器赛道，其中最具代表性的玩家为国内DRAM龙头长鑫存储（CXMT）以及NAND闪存厂商长江存储（YMTC）。

眼下，中国存储器厂商的扩张策略已不再局限于简单堆叠产能，而是同步发力服务于人工智能基础设施的高端存储产品线。

具体来看，CXMT最近传出消息，已启动新一代移动端DRAM——LPDDR6的大规模出货，并且成功实现了代号"G5"、制程节点约在15纳米水平的批量生产。

此外，CXMT还携手国内多家服务器厂商，持续推进HBM产品的量产验证工作，表明其业务版图正由常规存储芯片向AI领域的高端应用纵深延伸。

TechInsights首席战略官丹·金（Dan Kim）指出，中国依托政府牵头的资金注入，正在系统性加码存储器产业布局，而且这种投资节奏受行业周期性起伏的影响较为有限。

在他看来，中国在全球内存产能中所占的比重，将从目前的10%多一路走高，到2030年触及20%的量级，届时差距将更加显著。